| 摘要 |
【課題】スイッチングの高速化と出力電流のリンギング抑制を両立可能でありながら、より簡素な構成を持つスイッチング素子駆動装置を提供すること。【解決手段】ドライバ回路２０が、スイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴ５０をターンオフする際、ＭＯＳＦＥＴ５０のゲートを、キャパシタ３１と抵抗３２とからなる並列回路３０を介してソースに接続するようにした。ターンオフ直後は、キャパシタ３１は未充電である。そのため、ＭＯＳＦＥＴ５０のゲートにはソースと同じ電位が印加されるので、スイッチング速度を高めることができる。また、ターンオフ時のＭＯＳＦＥＴ５０のゲート容量からの放電によりキャパシタ３１が充電され、その充電量は、スイッチングの進行とともに大きくなって、ゲート−ソース間の電位差を増大させる。それにより、ＭＯＳＦＥＴ５０のスイッチング速度が低下するので、リンギングを抑制することができる。【選択図】図１ |
