記憶装置、半導体装置、及び記憶装置、半導体装置の製造方法

摘要

リセットゲートを用いてリセットを行うことができる、抵抗が変化する層を有する記憶装置を有するメモリを提供することを課題とする。柱状の抵抗が変化する層と、前記柱状の抵抗が変化する層を取り囲むリセットゲート絶縁膜と、前記リセットゲート絶縁膜を取り囲むリセットゲートと、を有することを特徴とする記憶装置により、上記課題を解決する。