コンタクトホール形成方法

摘要

【課題】高解像度のコンタクトホールパターンを提供するための半導体装置の製造において、パターン処理組成物のコーティングから溶媒での基板の処理までポリマーを活性化放射に露光することを含まないパターン処理組成物及び電子装置を提供する。【解決手段】コンタクトホールを形成する方法は、（ａ）パターン化される層の上に複数のポストパターンを含む基板を提供すること、（ｂ）ポストパターン及びパターン化される層の上にハードマスク層を形成すること、（ｃ）ハードマスク層の上に、反応性表面付着基を含むポリマーと溶媒を含むパターン処理組成物をコーティングすることにより、ポリマーがハードマスク層に結合されて、ハードマスク層の上にポリマー層を形成するベークをすること、（ｄ）残留する未結合のポリマーを除去するための溶媒を含むすすぎ剤で基板を処理し、複数の周囲のポストパターンの間に配置された第１のホールを形成することを含む。【選択図】なし