| 摘要 |
リッジを有する半導体発光装置において、その横方向の光閉じ込め効果と導波路損失の抑制効果との両立を図ることを目的とする。半導体発光装置は第１のクラッド層（１２）と活性層（１３）の間に第１のガイド層（３１３）を有し、第２のクラッド層（１４）はリッジ（１４Ａ）を有し、第１のクラッド層（１２）の膜厚をＴｎｃとし、第１のガイド層（３１３）の膜厚をＴｎｇとした場合に、Ｔｎｇ［μｍ］≦−０．９８Ｔｎｃ［μｍ］＋０．７６［μｍ］Ｔｎｇ［μｍ］≧−０．９８Ｔｎｃ［μｍ］＋０．５６［μｍ］の２式を満たし、発光波長が５００〜５６０ｎｍである構成とした。 |
