半導体装置

摘要

【課題】簡易なフィールドプレート構造でＭＯＳの耐圧を向上する。【解決手段】一方の端部をドレイン電位で接続し、他方の端部をソース電位で接続したポリシリコンで形成されたフィールドプレートを有し、前記フィールドプレートの構造が、前記ドレイン電位接続側から前記ソース電位接続側の区間で交互にＰ型層、Ｎ型層を繰り返す構造を有する。また、Ｐ型フィールドプレートの幅をa, Ｎ型フィールドプレートの幅をｂとした場合、0.95≦a/b≦1.05の関係にある。【選択図】図４