具有局部性抗通道穿透布植的制造方法

摘要

一种具有局部性抗通道穿透(anti-punchthrongh)布植的制造方法：其主要是利用遮蔽层和闸极氧化层形成厚度的悬殊差异，使得随后沈积的复晶矽层形成凹槽，此凹槽具有边墙复晶矽厚度较凹槽底部复晶矽厚度厚的特性，然后再选择适当的布植能量，以自动对准(self-alignment)的方式缩小抗通道穿透布植区的分布范围，如此可降低汲极／源极接面电容(junction capacitance)，进而增加MOS电晶体元件的操作速度，有利于元件尺寸缩小化的制程，是可以应用于次微米元件(submicron device)的局部性抗通道穿透布植的制造方法。