防止半导体晶圆弯曲变形的构造及其制造方法

摘要

一种半导体晶圆（wafer）上积体电路的构造及其制造方法，其构造包括：复数个晶片制造区（Die Area），形成在半导体晶圆上的既定区域，每一晶片制造区均包括有复数个半导体元件以构成积体电路；以及复数个画线切割区（Scribing Regions），形成在半导体晶圆上介于每两个晶片制造区之间的区域；其特征在于画线切割区表面上形成有阶梯状凸起部（Step Heights），构成了凹凸的表面，用以释放在形成上述半导体元件时对半导体晶圆造成的压力，进而防止半导体晶圆发生弯曲变形（bending）。其中，阶梯状凸起部的制造方法，是在形成半导体元件的同时，透过光罩对画总切割区进行曝光，并配合后续的显影、蚀刻制程，转移光罩上的图案，形成画总切割区凹凸的表面，达到防止半导体晶圆弯曲变形的目的。