| 摘要 |
トレンチ下部に形成された保護拡散層における電界を緩和することができる炭化珪素半導体装置を提供する。第一導電型のドリフト層２ａと、半導体層２内の上部に形成された第一導電型のソース領域４と、ソース領域４及びベース領域３を貫通し形成された活性トレンチ５ａと、活性トレンチ５ａの周囲に形成された終端トレンチ５ｂと、活性トレンチ５ａの底面及び側面に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して活性トレンチ５ａ内に埋没して形成されたゲート電極７と、活性トレンチ５ａの下部に形成され第二導電型の不純物濃度が第一の不純物濃度である第二導電型の保護拡散層１３と、終端トレンチ５ｂの下部に形成され第二導電型の不純物濃度が第一の不純物濃度よりも低い第二の不純物濃度である第二導電型の終端拡散層１６とを備えた炭化珪素半導体装置１００とする。 |
