发明名称 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
摘要 【課題】 信頼性の高い貫通ビアを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上の第1の配線層に形成された第1配線と、前記半導体基板を貫通し前記第1配線に接続される貫通ビアと、前記貫通ビアと前記第1の配線層の界面で、前記第1配線の配線間スペースに対応する箇所に位置する第1の絶縁膜と、を有する。【選択図】図6
申请公布号 JP2017050340(A) 申请公布日期 2017.03.09
申请号 JP20150171056 申请日期 2015.08.31
申请人 株式会社ソシオネクスト 发明人 大平 光;落水 洋聡;大和田 保
分类号 H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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