| 发明名称 |
多層チャネル及び電荷トラップ層を有するメモリデバイス |
| 摘要 |
【課題】３−Ｄ ＮＡＮＤフラッシュメモリといった３−Ｄ／縦型の不揮発性（ＮＶ）メモリデバイス、及びその製造方法に関する。【解決手段】ＮＶメモリデバイスは、ウェーハの上に交互に積層される第１スタック層と第２スタック層とを含むスタックに配置された縦型の開口部と、各開口部の内側壁の上に配置された多層誘電体と、多層誘電体の上に配置された第１チャネル層と、第１チャネル層の上に配置された第２チャネル層とを含み、第１チャネル層又は第２チャネル層のうちの少なくとも１つは、多結晶ゲルマニウム又はシリコン‐ゲルマニウムを含む。【選択図】図２Ｖ |
| 申请公布号 |
JP2017050526(A) |
申请公布日期 |
2017.03.09 |
| 申请号 |
JP20160097400 |
申请日期 |
2016.05.13 |
| 申请人 |
サイプレス セミコンダクター コーポレーション |
发明人 |
レンホワ チャン;クリシュナスワミ ラムクマール;杉野 林志;レー シュエ |
| 分类号 |
H01L27/115;H01L21/336;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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