| 摘要 |
本発明は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの酸化物からなるスパッタリングターゲットであって、８０℃の２８質量％塩酸に、該塩酸に対し４０質量％の量の前記スパッタリングターゲットを２４時間浸漬したときに得られる溶解残渣の、前記浸漬したスパッタリングターゲットに対する質量比が０．５質量％以下であるスパッタリングターゲットである。本発明のＩｎ、ＧａおよびＺｎの酸化物からなるスパッタリングターゲットは、スパッタ時にアーキングやノジュールの発生が少なく、このスパッタリングターゲットから歩留りのよい酸化物半導体膜を得ることができる。 |
