发明名称 磁気抵抗効果素子の製造システム
摘要 基板(100)上に,二つの磁性層の一方の層(103)と,トンネル障壁層を構成する層(104)と,二つの磁性層の他方の層(105)と,を備えた積層体を用意する工程(S121)と,前記積層体をエッチングにより複数に分離し,前記基板上に分離した複数の積層体を形成する工程(S122)と,前記分離した複数の積層体の側部に減圧可能な処理チャンバー(501)内でイオンビームを照射する工程(S123)と,前記イオンビームの照射後,前記処理チャンバー内に酸化性ガスまたは窒化性ガスを導入し,前記複数の積層体の表面に酸化層または窒化層を形成する工程(S124)と,を有し,磁気抵抗効果素子のさらなる微細化,即ち,集積度のさらなる増大を実現するとともに,高い磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を製造することができる磁気抵抗効果素子の製造方法および製造システムを提供する。
申请公布号 JPWO2015045205(A1) 申请公布日期 2017.03.09
申请号 JP20150531192 申请日期 2014.04.18
申请人 キヤノンアネルバ株式会社 发明人 林 真里恵;坂本 清尚;池田 真義
分类号 H01L43/12;H01L21/3065;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;H05H1/46 主分类号 H01L43/12
代理机构 代理人
主权项
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