| 摘要 |
【課題】光取り出し効率を向上できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子３０は、基板２と、基板２上の金属層３と、金属層３上に形成され、発光層８、発光層８に対して基板２側に配置されたｐ型半導体層９、および発光層８に対して基板２の反対側に配置されたｎ型半導体層１０を含むＡｌＩｎＧａＰ系半導体積層構造５と、金属層３とＡｌＩｎＧａＰ系半導体積層構造５との間の屈折率ｎａを有する透光導電層４と、透光導電層４とＡｌＩｎＧａＰ系半導体積層構造５との間の絶縁層３１であって、屈折率ｎａよりも高い屈折率ｎｂを有する絶縁層３１とを含み、透光導電層４は、絶縁層３１を貫通してｐ型半導体層９に接続されたコンタクト部３２を含む。【選択図】図５ |
