| 摘要 |
【課題】シーメンス法によりシリコン芯線上に多結晶シリコンを析出させる際のプロセス温度を適切に制御することにより残留応力を制御すること。【解決手段】多結晶シリコン棒を合成する際に、シリコン芯線の近傍領域、Ｒ/２領域、最表面領域における多結晶シリコンの析出温度をそれぞれＴ１、Ｔ２、Ｔ３としたときに、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３に設定して多結晶シリコンを析出させる。または、シリコン芯線の近傍領域、Ｒ/２領域、最表面領域における多結晶シリコンの析出温度をそれぞれＴ１、Ｔ２、Ｔ３としたときに、Ｔ１＞Ｔ２かつＴ２＜Ｔ３とし、さらに、最表面領域における多結晶シリコンの析出時におけるシリコン芯線の近傍領域の温度Ｔ１´とＴ３との温度差をΔＴとしたときに、Ｔ１＞Ｔ３＋ΔＴとなるように設定して多結晶シリコンを析出させる。【選択図】図３Ａ |
