ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

摘要

１×１０１６ｃｍ−３以上の酸素濃度を有するゲルマニウム層３０を還元性ガス雰囲気中において、７００℃以上において熱処理する工程を含む半導体基板の製造方法。または、１×１０１６ｃｍ−３以上の酸素濃度を有するゲルマニウム層３０を還元性ガス雰囲気中において、前記酸素濃度が減少するように熱処理する工程を含む半導体基板の製造方法。