| 摘要 |
本発明は、チャネル抵抗を減少させつつ、ゲート絶縁膜の信頼性を高める炭化珪素半導体装置を提供する。本発明は、エピタキシャル層２表層に部分的に形成されたトレンチ３と、トレンチの側面および底面に沿って形成されたウェル層４と、トレンチの底面におけるウェル層表層に形成されたソース領域５と、ゲート絶縁膜（７）と、ゲート電極８とを備える。ゲート絶縁膜は、トレンチの側面に沿って形成され、かつ、一端がソース領域に至って形成されている。ゲート電極は、トレンチの側面に沿って形成され、かつ、ゲート絶縁膜上に形成されている。 |
