| 摘要 |
仕様に応じて定められた第１のゲート電圧を制御端子に受けてオン動作し、入力電圧をスイッチングして負荷に出力する絶縁ゲート型半導体素子と、この絶縁ゲート型半導体素子のスイッチング動作に伴って前記負荷に出力される出力電流を検出する出力電流検出手段と、前記絶縁ゲート型半導体素子のオン電圧を検出する電圧検出手段と、前記出力電流が定格出力電流を超え、且つ前記オン電圧が予め定められた第１の閾値電圧よりも低いとき、前記絶縁ゲート型半導体素子の制御端子に加えるゲート電圧を前記第１のゲート電圧よりも高く設定して該絶縁ゲート型半導体素子の発熱量を抑制する発熱量抑制手段とを備える。 |
