发明名称 |
复合氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 |
摘要 |
本发明提供能够得到在较宽的波长区域显示更低的光吸收特性、且低电阻的氧化物透明导电膜的复合氧化物烧结体、及氧化物透明导电膜。本发明提供复合氧化物烧结体,其特征在于,为具有铟、锆、铪及氧的复合氧化物烧结体,在将铟、锆及铪的含量分别设为In、Zr、Hf时,构成该烧结体的元素的原子比为:Zr/(In+Zr+Hf)=0.05~4.5at%,Hf/(In+Zr+Hf)=0.0002~0.15at%。 |
申请公布号 |
CN104520467B |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201380042112.7 |
申请日期 |
2013.08.08 |
申请人 |
东曹株式会社 |
发明人 |
仓持豪人;玉野公章;秋池良;饭草仁志 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种复合氧化物烧结体,其特征在于,其具有铟、锆、铪及氧作为构成元素,在将铟、锆及铪的含量分别设为In、Zr、Hf时,构成该烧结体的元素的原子比为:Zr/(In+Zr+Hf)=0.05~4.5at%Hf/(In+Zr+Hf)=0.0002~0.15at%,所述复合氧化物烧结体中的铟含量相对于金属元素总计为95at%以上。 |
地址 |
日本山口县 |