发明名称 一种硅酸锶铜系微波介质陶瓷低温烧结的制备方法
摘要 本发明公开了一种硅酸锶铜系微波介质陶瓷低温烧结的制备方法,以SrCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>为基础,外加1.0~7.0%的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>烧结助剂,于850~950℃烧结,保温4~8小时,成功地将其烧结温度由1100℃降至950℃,制备出介电常数为6.26、介电损耗3.1×10<sup>‑3</sup>、介电常数温度系数为122.90ppm/℃的微波介质陶瓷。本发明的制备工艺简单,过程无污染,是一种很有前途的LTCC微波介质基板材料。
申请公布号 CN106478083A 申请公布日期 2017.03.08
申请号 CN201610895654.4 申请日期 2016.10.13
申请人 天津大学 发明人 张平;廖建文;赵永贵
分类号 C04B35/16(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I 主分类号 C04B35/16(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 张宏祥
主权项 一种硅酸锶铜系微波介质陶瓷低温烧结的制备方法,具有如下步骤:(1)将SrCO<sub>3</sub>、CuO、SiO<sub>2</sub>原料,按化学式SrCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>进行配料,按原料:去离子水:磨球=1:16:15的质量比加入聚酯罐中,球磨4~8小时。(2)将步骤(1)球磨后的原料置于干燥箱中,于80~130℃烘干,烘干后过40目筛,获得颗粒均匀的粉料;(3)将步骤(2)混合均匀的粉料在975℃预烧4小时;(4)将步骤(3)预烧后的陶瓷粉料放入聚酯罐中,外加质量百分比1.0~7.0%的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>与煅烧后的粉体混合,然后加入去离子水和氧化锆球,球磨4~8小时;待粉体烘干后,再在陶瓷粉料中外加重量百分比为8~10%的石蜡作为粘合剂进行造粒,过80目筛,再用粉末压片机成型为坯体;(5)将步骤(4)的坯体于850~950℃烧结,保温4~8小时,制得硅酸锶铜系微波介质陶瓷。
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