发明名称 半导体封装体及其制作方法
摘要 本发明公开了一种半导体封装体及其制作方法,半导体封装体的制作方法包含在晶圆的上表面上方设置多个半导体晶片;以第一铸形材料铸形多个半导体晶片;以及,在铸形多个半导体晶片后,在多个半导体晶片的上方形成复合层。借此,本发明的半导体封装体的制作方法,通过复合层强化半导体封装体,作为制造半导体封装体的工艺中的支撑,可用以抵抗工艺中作用于半导体封装体的应力,使得半导体封装体可减少或避免于工艺中被损毁或卷曲,让半导体封装体的良率提高,以节省材料成本。
申请公布号 CN106611713A 申请公布日期 2017.05.03
申请号 CN201610102285.9 申请日期 2016.02.25
申请人 美光科技公司 发明人 施信益;吴铁将
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种半导体封装体的制作方法,其特征在于,所述半导体封装体的制作方法包含:在晶圆的上表面上方设置多个半导体晶片;以第一铸形材料铸形所述多个半导体晶片;以及在铸形所述多个半导体晶片后,在所述多个半导体晶片的上方形成复合层。
地址 美国爱达荷州