发明名称 |
半导体集成电路 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体集成电路,包括:半导体芯片;多个第一穿通芯片通孔,多个第一穿通芯片通孔穿通半导体芯片竖直地形成,并且被配置为作为用于第一电源的接口而操作;以及第一公共导电层,第一公共导电层被设置在半导体芯片之上,并且将所述多个第一穿通芯片通孔沿水平方向彼此耦接。 |
申请公布号 |
CN102751258B |
申请公布日期 |
2017.05.03 |
申请号 |
CN201110244035.6 |
申请日期 |
2011.08.24 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
李康设;李在真;任才爀 |
分类号 |
H01L23/50(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;许伟群 |
主权项 |
一种半导体集成电路,包括:半导体芯片;多个第一穿通芯片通孔,所述多个第一穿通芯片通孔穿通所述半导体芯片竖直地形成,并且被配置为作为用于第一电源的接口而操作;第一公共导电层,所述第一公共导电层被设置在所述半导体芯片之上,并且将所述多个第一穿通芯片通孔沿水平方向彼此耦接;多个第二穿通芯片通孔,所述多个第二穿通芯片通孔穿通所述半导体芯片竖直地形成,并且被配置为作为用于第二电源的接口而操作;以及第二公共导电层,所述第二公共导电层被设置在所述半导体芯片之上,并且将所述多个第二穿通芯片通孔沿水平方向彼此耦接,其中,所述第一公共导电层和所述第二公共导电层被设置在相同的水平,并且具有多个突出部,所述多个突出部沿水平方向朝着所述半导体芯片的延伸方向突出,其中,所述第一公共导电层的所述多个突出部和所述第二公共导电层的所述多个突出部以期望的距离分隔开并且被交替地设置,其中,所述第一电源被供应给所述第一公共导电层的所述多个突出部中的每个,以及所述第二电源被供应给所述第二公共导电层的所述多个突出部中的每个。 |
地址 |
韩国京畿道 |