发明名称 |
一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法,该方法的步骤如下:将HAT‑CN和F4‑TCNQ以质量比为1:(2‑6)的比例混合溶于丙酮中,待完全溶解后得到溶液A;将CuPc和MoO<sub>3</sub>分别溶于水中制成水溶液,在大气环境下分别搅拌,以体积比1:1的比例混合,得到溶液B;将待涂布的基板臭氧处理,然后用溶液A涂布在基板表面,并在60℃的温度下退火15min,此时基板表面形成一层油性薄膜;将溶液B涂布在油性薄膜表面,并在150℃的温度下退火15min,此时ITO基片表面即形成了用于半导体器件的双电荷注入层。本发明的制作工艺简单便捷,设备要求低,在大气条件中即可进行制备操作,成本低廉。 |
申请公布号 |
CN105552242B |
申请公布日期 |
2017.05.03 |
申请号 |
CN201610062055.4 |
申请日期 |
2016.01.29 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
廖良生;王照奎;王波 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;B05D1/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
曹毅 |
主权项 |
一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:(1)将HAT‑CN和F4‑TCNQ以质量比为1:( 2‑6 )的比例混合溶于丙酮中,待完全溶解后静置1‑2h,得到溶液A,其中溶液A中HAT‑CN和F4‑TCNQ的总浓度为2mg/mL;(2)将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液, 在大气环境下分别搅拌10h后,以体积比1:1的比例混合,静置1‑2h,得到溶液B,其中CuPc和MoO3水溶液的浓度分别为4mg/mL和1mg/mL;(3)将待涂布的基板放置于紫外臭氧机中臭氧处理20min, 然后用步骤(1)中得到的溶液A通过旋转涂布的方法均匀的涂布在基板表面,并在60℃的温度下退火15min,此时基板表面形成一层油性薄膜;(4)将步骤(2)中得到的溶液B通过旋转涂布的方法均匀的涂布在步骤(3)得到的油性薄膜表面,并在150℃的温度下退火15min,此时基板表面形成了油性‑水性双注入层的薄膜,即为用于半导体器件的双电荷注入层。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |