| 发明名称 | 一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜及其制备方法。本发明要解决的技术问题是为半导体材料提供一种新选择。本发明的技术方案是一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜，包括导电衬底和生长在导电衬底上的异质结构；所述异质结构是由自下而上依次生长在衬底上的p型NiO有序多孔薄膜和n型ZnO有序多孔薄膜所构成。本发明还提供了ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜的制备方法。本发明ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜可广泛地用于紫外探测器、发光二极管和阻变存储器等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN104465987B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201410653509.6 | 申请日期 | 2014.11.14 |
| 申请人 | 西南大学 | 发明人 | 赵建伟;秦丽溶;贾小亚;杨彩风 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C28/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人 | 康海燕;吴兴伟 |
| 主权项 | 一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜，其特征在于：包括导电衬底和生长在导电衬底上的异质结构；所述异质结构是由自下而上依次生长在衬底上的p型NiO有序多孔薄膜和n型ZnO有序多孔薄膜所构成；所述p型NiO有序多孔薄膜和n型ZnO有序多孔薄膜的孔均为碗状半封闭结构，且在二维平面内呈六方周期排列；所述孔的直径均为200～500nm，孔间距均为500nm，所述n型ZnO有序多孔薄膜致密连续，膜层厚度一致；所述ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜的厚度为100～400nm。 | ||
| 地址 | 400715 重庆市北碚区天生路1号 | ||