发明名称 用于光泵浦源的表面放电陶瓷基板及其制备方法
摘要 一种用于光泵浦源的表面放电陶瓷基板,包括陶瓷本体和沉积于陶瓷本体上的金刚石耐烧蚀涂层,且金刚石耐烧蚀涂层仅沉积在陶瓷本体表面将产生表面放电的区域。该表面放电陶瓷基板的制备方法包括:配制含金刚石粉的悬浊液;使用氢氟酸溶液对陶瓷本体进行预处理,预处理完成后,再使用悬浊液对陶瓷本体种植籽晶;对陶瓷本体不产生表面放电的区域进行遮挡;在陶瓷本体的表面热丝化学气相沉积金刚石耐烧蚀涂层,得到表面放电陶瓷基板。本发明的产品耐等离子体烧蚀性能好,重复使用次数高,成本小。
申请公布号 CN104387117B 申请公布日期 2017.05.03
申请号 CN201410631564.5 申请日期 2014.11.11
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 李俊生;魏秋平;黄超;程海峰;周永江;罗浩;童思超
分类号 C04B41/85(2006.01)I 主分类号 C04B41/85(2006.01)I
代理机构 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 代理人 杨斌
主权项 一种用于光泵浦源的表面放电陶瓷基板,其特征在于,所述表面放电陶瓷基板包括陶瓷本体和沉积于陶瓷本体上的金刚石耐烧蚀涂层,且所述金刚石耐烧蚀涂层仅沉积在陶瓷本体表面将产生表面放电的区域;所述金刚石耐烧蚀涂层是通过化学气相沉积在陶瓷本体上形成的金刚石连续膜,所述金刚石耐烧蚀涂层的厚度为40.0μm~100.0μm,且表面电阻为1.5×10<sup>12</sup>Ω·cm~9.0×10<sup>12</sup>Ω·cm,所述陶瓷本体为氧化铝陶瓷或氧化铍陶瓷,所述氧化铝陶瓷中α‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的质量分数在95%以上。
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