| 发明名称 | 有机硅树脂 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种有机硅树脂。所述有机硅树脂可以有效地用于封装半导体元件，例如，发光二极管的发光元件。 | ||
| 申请公布号 | CN102712756B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201180006438.5 | 申请日期 | 2011.01.25 |
| 申请人 | LG化学株式会社 | 发明人 | 高敏镇;文明善;郑宰昊;崔范圭;姜大昊;金珉均 |
| 分类号 | C08G77/04(2006.01)I;C08L83/04(2006.01)I;C09K3/10(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟 |
| 主权项 | 一种有机硅树脂，由式1的平均组成式表示并且包含式2的硅氧烷单元和式3的硅氧烷单元，该有机硅树脂的与硅原子连接的芳基相对于全部硅原子的摩尔比在0.7～1.3的范围内，在式2的硅氧烷单元中的与硅原子连接的芳基相对于全部硅原子的摩尔比在0.3～0.8的范围内，在所述式3的硅氧烷单元中的与硅原子连接的芳基相对于全部硅原子的摩尔比在0.25～0.7的范围内，其中所述式1的平均组成式表示至少两种有机硅树脂的平均组成:[式1](R<sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>a</sub>(R<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>)<sub>b</sub>(RSiO<sub>3/2</sub>)<sub>c</sub>(SiO<sub>4/2</sub>)<sub>d</sub>[式2]R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>SiO<sub>2/2</sub>[式3]R<sup>3</sup>SiO<sub>3/2</sub>其中，在a+b+c+d为1，且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>中的至少一个表示芳基的情况下，R是与硅原子直接连接的取代基，且各自独立地表示氢、烷氧基、羟基、环氧基、(甲基)丙烯酰基、异氰酸酯基或一价烃基；R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自独立地表示烷基和芳基，R<sup>3</sup>表示芳基，a是在0≤a≤0.5的范围内，b是在0＜b≤0.8的范围内，c是在0＜c≤0.8的范围内，d是在0≤d≤0.2的范围内。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||