| 发明名称 | 防止光刻胶剥落的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种防止光刻胶剥落的方法，用于离子注入工艺之后，刻蚀工艺之前，具体包括以下步骤：1)对硅基板表面进行处理，将没有覆盖光刻胶的硅基板表面变成亲水性；2)用水处理硅基板表面，使没有覆盖光刻胶的硅基板吸水膨胀；3)对光刻胶进行固化处理。本发明通过在离子注入后，先用ASH plasma处理硅基板表面，将裸露的硅基板表面变成亲水性，再用水处理硅基板表面，使裸露的硅基板吸水膨胀，如此抵消了UVC固化时，胶体收缩产生的应力，从而避免了光刻胶在刻蚀的时候与硅基板发生剥离，保证了刻蚀能够获得良好的图形。 | ||
| 申请公布号 | CN106610569A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201710004166.4 | 申请日期 | 2017.01.04 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘善善;吴兵;曹俊 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 一种防止光刻胶剥落的方法，用于离子注入工艺之后，刻蚀工艺之前，其特征在于，包括以下步骤：1)对硅基板表面进行处理，将没有覆盖光刻胶的硅基板表面变成亲水性；2)用水处理硅基板表面，使没有覆盖光刻胶的硅基板吸水膨胀；3)对光刻胶进行固化处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||