| 发明名称 | 一种高均匀性的红光LED 外延结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种高均匀性的红光LED外延结构，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层。本实用新型通过在生长GaAs缓冲层之前生长AlGaAs缓冲层，将表面氧化层通过AlGaAs缓冲层进行分解吸收，最大程度的减少了衬底表面氧化层对后续外延结构的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN206148463U | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201621095913.7 | 申请日期 | 2016.09.30 |
| 申请人 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 发明人 | 张雨;田菲菲;王朝旺;徐现刚 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 杨树云 |
| 主权项 | 一种高均匀性的红光LED外延结构，其特征在于，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层。 | ||
| 地址 | 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 | ||