功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：基片、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极、及位于势垒层上的结终端结构，结终端结构从栅极靠近漏极一侧的边缘处向漏极方向延伸。由于结终端结构和其下势垒层之间的晶格常数差异引起的压电效应，使得势垒层与沟道层界面处的二维电子气被部分耗尽。结终端结构可以有效改善势垒层的电场分布，提升器件的击穿电压。

主权项

一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：基片；位于所述基片上的成核层；位于所述成核层上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上的势垒层；位于所述势垒层上的源极和漏极，以及位于所述势垒层上源极和漏极之间的栅极；位于所述势垒层上的结终端结构，所述结终端结构从栅极靠近漏极一侧的边缘处向漏极方向延伸，所述结终端结构的晶格常数大于势垒层的晶格常数；所述结终端结构部分覆盖所述势垒层，所述结终端结构的厚度从栅极向漏极方向递减。