TEM样品的制备方法

摘要

本发明提供一种TEM样品的制备方法，包括以下步骤：提供一包含缺陷的检测样片，所述检测样片包括层间介质层及形成于所述层间介质层中设有间距的若干金属栓；所述缺陷位于相邻两个金属栓之间的层间介质层中，该相邻两个金属栓的间距为d₁，其中，d₁>0；将所述缺陷一侧的金属栓切割掉，形成第一切割面；在所述检测样片的所述第一切割面上形成一厚度为d₂的二氧化硅层；其中，d₁+d₂≧80 nm；将所述缺陷另一侧的金属栓切割掉，形成平行于所述第一切割面的第二切割面。本发明能用TEM直观显示缺陷特定方向上当前位置的形貌和精确尺寸；对65 nm/45 nm/32 nm制程中被金属层挡住的微小缺陷，可以利用现有的聚焦离子束机台制作TEM样品；成本低，TEM样品制备方法简单，容易操作。

主权项

一种TEM样品的制备方法，其特征在于，所述TEM样品的制备方法至少包括以下步骤：S1：提供一包含缺陷的检测样片，所述检测样片包括层间介质层及形成于所述层间介质层中设有间距的若干金属栓；所述缺陷位于相邻两个金属栓之间的层间介质层中；该相邻两个金属栓的间距为d₁，其中，d₁>0；S2：将所述缺陷一侧的金属栓切割掉，形成第一切割面；S3：在所述检测样片的所述第一切割面上形成一二氧化硅层；所述二氧化硅层的厚度为d₂，其中，d₁+d₂≧80nm；所述二氧化硅层中的Si晶格作为参照，可以进行精确的尺寸比较，清楚的观察到缺陷的形貌和尺寸；S4：将所述缺陷另一侧的金属栓切割掉，形成第二切割面，所述第二切割面平行于所述第一切割面。