| 发明名称 | TFT背板结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种TFT背板结构及其制作方法。该TFT背板结构具有开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)，所述开关TFT(T1)由第一源/漏极(61)、第一栅极(21)及夹在二者之间的第一蚀刻阻挡层(51)、第一氧化物半导体层(41)与第一栅极绝缘层(31)构成，所述驱动TFT(T2)由第二源/漏极(62)、第二栅极(22)及夹在二者之间的第二氧化物半导体层(42)、第一蚀刻阻挡层(51)与第二栅极绝缘层(32)构成，所述开关TFT(T1)与所述驱动TFT(T2)的电特性不同，开关TFT具有较小的亚阈值摆幅能够快速充放电，驱动TFT具有相对较大的亚阈值摆幅能够更精确的控制电流和灰阶。 | ||
| 申请公布号 | CN104183608B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201410445155.6 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 吕晓文;曾志远;苏智昱;张合静 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种TFT背板结构，其特征在于，包括一基板(1)、位于该基板(1)上的相互间隔的第一栅极(21)与第二栅极(22)、位于所述基板(1)与第一栅极(21)上的第一栅极绝缘层(31)、位于所述基板(1)与第二栅极(22)上的第二栅极绝缘层(32)、于所述第一栅极(21)正上方位于所述第一栅极绝缘层(31)上的第一氧化物半导体层(41)、位于所述第一氧化物半导体层(41)与第二栅极绝缘层(32)上的第一蚀刻阻挡层(51)、于所述第二栅极(22)正上方位于所述第一蚀刻阻挡层(51)上的第二氧化物半导体层(42)、位于所述第一栅极绝缘层(31)与第一蚀刻阻挡层(51)上的第一源/漏极(61)、位于所述第一蚀刻阻挡层(51)与第二氧化物半导体层(42)上的第二源/漏极(62)、位于所述第一、第二源/漏极(61、62)上的保护层(7)、及位于所述保护层(7)上的像素电极(8)；所述第一源/漏极(61)搭接第一氧化物半导体层(41)与第二栅极(22)，所述第二源/漏极(62)搭接第二氧化物半导体层(42)，所述像素电极(8)搭接所述第二源/漏极(62)；所述第一源/漏极(61)、第一栅极(21)及夹在二者之间的第一蚀刻阻挡层(51)、第一氧化物半导体层(41)与第一栅极绝缘层(31)构成开关TFT(T1)，所述第二源/漏极(62)、第二栅极(22)及夹在二者之间的第二氧化物半导体层(42)、第一蚀刻阻挡层(51)与第二栅极绝缘层(32)构成驱动TFT(T2)，所述开关TFT(T1)与所述驱动TFT(T2)的电特性不同。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||