| 发明名称 | 半导体器件及其生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其生产方法。一个半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面，其中第二主面是所述半导体芯片的背面。进一步地，所述半导体器件包括导电层，特别地，被布置在所述半导体芯片的第二主面的第一区域上。进一步地，所述半导体器件包括聚合物结构，所述聚合物结构被布置在所述半导体芯片的第二主面的第二区域上，其中第二区域是所述半导体芯片的第二主面的外围区域，且第一区域与第二区域毗邻。 | ||
| 申请公布号 | CN103871977B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201310757220.4 | 申请日期 | 2013.12.13 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | I·尼基廷;M·施内甘斯 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马红梅;刘春元 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括第一主面和第二主面，其中第二主面是半导体芯片的背面；连续的导电层，被布置在半导体芯片的第二主面上；以及聚合物结构，被布置在半导体芯片的第二主面上，其中聚合物结构包括沿着第二主面的相对的边缘分布的至少两个条，其中导电层和该导电层的面向条的侧边缘横向地位于至少两个条之间。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||