一种快恢复二极管的结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种快恢复二极管的结构及其制造方法，该结构包括：阴极金属层；位于所述阴极金属层上的阴极区，所述阴极区具有第一导电类型；位于所述阴极区上的漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；位于所述漂移区上的阳极区，所述阳极区具有第二导电类型，所述漂移区和所述阳极区的界面处形成PN结，所述PN结处和/或所述漂移区中和或所述阳极区中形成有键合界面；和位于所述阳极区上的阳极金属层。通过引入键合界面以在快恢复二极管体区形成低寿命区域，并且通过精确控制键合界面的位置，以精确地控制载流子在快恢复二极管体区的寿命分布，有效提高快恢复二极管的开关速度，同时保证开关软度。

主权项

一种快恢复二极管的制造方法，包括以下步骤：提供第一晶片，所述第一晶片包括阴极区和位于所述阴极区上的漂移区，所述阴极区和所述漂移区具有第一导电类型；在所述第一晶片的漂移区上依次键合多个第二晶片，每个所述第二晶片具有第一导电类型，以及分别将每个所述第二晶片减薄至所需厚度；对所述第二晶片进行掺杂以形成具有第二导电类型的阳极区；和在所述第一晶片的阴极区下方形成阴极金属层，以及在所述阳极区上形成阳极金属层。