| 发明名称 | 双重构图方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种双重构图方法及半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，并将单体溶液滴在所述半导体衬底上；以闪光压印方式处理所述单体溶液，以形成图形化的第一掩膜层；在所述图形化的第一掩膜层两侧形成间隙壁；在所述半导体衬底上旋涂金属掩膜材料，以填充所述第一掩膜层的空隙部分以形成第二掩膜层；去除所述第一掩膜层两侧的间隙壁，以形成第一掩膜层和第二掩膜层构成的掩膜层。本发明的双重构图的方法及半导体器件的制造方法，可以进一步提缩小光刻关键尺寸(CD)的同时，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106611699A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201510689658.2 | 申请日期 | 2015.10.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种双重构图方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，并将单体溶液滴在所述半导体衬底上；以闪光压印方式处理所述单体溶液，以形成图形化的第一掩膜层；在所述图形化的第一掩膜层两侧形成间隙壁；在所述半导体衬底上旋涂金属掩膜材料，以填充所述第一掩膜层的空隙部分以形成第二掩膜层；去除所述第一掩膜层两侧的间隙壁，以形成第一掩膜层和第二掩膜层构成的掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||