共平面型氧化物半导体TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板的制作方法，包括：步骤1、提供基板(1)；步骤2、形成栅极(2)；步骤3、沉积栅极绝缘层(3)；步骤4、在栅极绝缘层(3)上形成光阻层(4)；步骤5、对光阻层(4)进行分区域曝光、显影，形成通孔(41)、数个凹陷部(42)；步骤6、去除所述通孔(41)下方的栅极绝缘层(3)；步骤7、去除光阻层(4)的数个凹陷部(42)下方的光阻层(4)；步骤8、在栅极绝缘层(3)与剩余的光阻层(4’)上沉积第二金属层(5)；步骤9、去除剩余的光阻层(4’)及沉积于其上的第二金属层(5)，形成源/漏极(51)；步骤10、沉积并图案化氧化物半导体层(6)；步骤11、沉积并图案化保护层(7)。

主权项

一种共平面型氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)；步骤2、在基板(1)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(2)；步骤3、在栅极(2)与基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)，使该栅极绝缘层(3)完全覆盖栅极(2)与基板(1)；步骤4、在栅极绝缘层(3)上形成一定厚度的光阻层(4)；步骤5、对光阻层(4)进行分区域曝光、显影；对光阻层(4)对应欲形成于栅极绝缘层(3)内的连通孔(31)的区域进行全曝光，显影后形成通孔(41)；对光阻层(4)对应欲形成源/漏极(51)的区域进行半曝光，显影后形成数个凹陷部(42)；对光阻层(4)的其余区域不进行曝光；步骤6、通过蚀刻去除所述通孔(41)下方的栅极绝缘层(3)，形成栅极绝缘层(3)内的连通孔(31)，以露出连通孔(31)下方的栅极(2)；步骤7、去除光阻层(4)的数个凹陷部(42)下方的光阻层(4)，以露出所述数个凹陷部(42)下方的栅极绝缘层(3)；步骤8、在栅极绝缘层(3)与剩余的光阻层(4’)上沉积第二金属层(5)，该第二金属层(5)填充连通孔(31)并与栅极(2)进行连接；步骤9、去除剩余的光阻层(4’)及沉积于其上的第二金属层(5)，以形成源/漏极(51)；步骤10、在源/漏极(51)与栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物半导体层(6)；步骤11、在氧化物半导体层(6)与源/漏极(51)上沉积并图案化保护层(7)；所述步骤5中光阻层(4)的凹陷部(42)的深度H大于欲形成的源/漏极(51)的厚度。