| 发明名称 | 带有具有高磁饱和以及各向异性场特征的薄稳定层的记录介质 | ||
| 摘要 | 具有增强的磁稳定性的垂直记录介质(102、200、300)。根据一些实施例，多层记录结构(204,304,306,308)形成在底部衬底(202,302)上并适于在基本垂直于所述层的畴内磁性地存储磁位序列。薄的磁稳定层(206,310)被形成在多层记录衬底上以使记录结构的上部磁稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN104054128B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201280067388.6 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | B·卞;W·沈;P·李;M·鲁;C·C·刘;T·诺兰 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01)I;G11B5/62(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 何焜 |
| 主权项 | 一种垂直数据记录介质，包括：多层记录结构，其形成在底部衬底上并适于在基本垂直于所述层的畴内磁性地存储磁位序列；以及单层磁稳定结构，被接触地置于所述多层记录结构上以使所述多层记录结构的上部磁稳定，所述单层磁稳定结构被表征为具有小于约6％的非零硼(B)含量以及约20‑25％的铂(Pt)含量的硬磁材料的单层；以及保护性覆盖层，被接触地置于所述单层磁稳定结构上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||