| 发明名称 | 纳米线场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括在衬底之上形成纳米线，在所述纳米线的一部分的周围形成衬里材料，在所述衬里材料上形成盖帽层，邻近所述盖帽层的侧壁并在所述纳米线的部分的周围形成第一间隔物，在所述盖帽层和所述第一间隔物上形成硬掩模层，去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由栅极材料限定的第一腔，在所述第一腔中的所述纳米线的暴露截面上外延生长半导体材料，去除所述硬掩模层和所述盖帽层，在所述第一腔中的外延生长的所述半导体材料的周围形成第二盖帽层以限定沟道区，以及形成与所述沟道区相接触的源极区和漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN104025270B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201280065693.1 | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·邦萨伦提普;G·科恩;A·马宗达;J·W·斯雷特 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 牛南辉;于静 |
| 主权项 | 一种用于形成纳米线场效应晶体管器件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成纳米线；在所述纳米线的一部分周围形成衬里材料；在所述衬里材料上形成盖帽层；邻近所述盖帽层的侧壁并在所述纳米线的部分的周围形成第一间隔物；在所述盖帽层和所述第一间隔物上形成硬掩模层；去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由所述衬里材料限定的第一腔；在所述第一腔中的所述纳米线的暴露截面上外延生长半导体材料；去除所述硬掩模层和所述盖帽层；在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料的周围形成第二盖帽层以限定沟道区；以及形成与所述沟道区相接触的源极区和漏极区。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||