具有分布式布拉格反射器的发光二极管芯片

摘要

公开一种发光二极管芯片，其包括分布式布拉格反射器DBR，所述DBR设置在发光结构的一侧以反射从发光结构发射的光。DBR包括具有高折射率的第一材料层和具有低折射率的第二材料层，第一和第二材料层交替地堆叠在彼此上。关于可见光范围的中心波长，DBR包括：第一区域，其中交替地设有光学厚度大于0.25λ+10％的第一材料层的第一组和光学厚度大于0.25λ‑10％且小于0.25λ+10％的第一材料层的第二组；第二区域，包括光学厚度小于0.25λ‑10％且连续布置的第一材料层的第三组；第三区域，设置在第一区域和第二区域之间且包括光学厚度小于0.25λ‑10％的第一材料层和光学厚度大于0.25λ的第一材料层。

主权项

一种发光二极管芯片，其包括：包括有源层的发光结构；以及分布式布拉格反射器，其被设置在所述发光结构的一侧处以反射从所述发光结构发射出的光，其中所述分布式布拉格反射器包括具有高折射率的第一材料层和具有低折射率的第二材料层，所述第一材料和所述第二材料层交替地堆叠在彼此上方，且关于所述可见光范围的中心波长，所述分布式布拉格反射器包括：第一区域，其中具有大于0.25λ+10％的光学厚度的第一材料层的第一组和具有大于0.25λ‑10％并且小于0.25λ+10％的光学厚度的第一材料层的第二组交替地布置；第二区域，其包括具有小于0.25λ‑10％的光学厚度并且连续布置的第一材料层的第三组；以及第三区域，其被设置在所述第一区域与所述第二区域之间并且包括具有小于0.25λ‑10％的光学厚度的第一材料层和具有大于0.25λ的光学厚度的第一材料层，所述第一区域被放置成比所述第二区域更加靠近所述发光结构，其中，λ是中心波长。