| 发明名称 | 一种碳化硅表面氧化膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN106611700A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201510685847.2 | 申请日期 | 2015.10.21 |
| 申请人 | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司 | 发明人 | 郑柳;杨霏;王方方;李玲;李永平;刘瑞;吴昊;钮应喜;张文婷;王嘉铭;桑玲 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。 | ||
| 地址 | 102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号（未来科技城） | ||