复合管射频功率放大器

摘要

本发明公开了一种复合管射频功率放大器，包括：第一晶体管和第二晶体管的第二端通过输入网络接复合管射频功率放大器的第一端；第一晶体管和第二晶体管的第三端相连通过输出网络接复合管射频功率放大器的第二端并通过第一电感接外部电源接入端，外部电源接入端通过第二电容接地；第一晶体管和第二晶体管的第一端分别接地；第一输入偏置电路一端接第一晶体管第二端另一端接第一偏置电压并通过第一电容接地；第二输入偏置电路一端连接第二晶体管第二端另一端接第二偏置电压并通过第三电容接地；隔直交短装置连接在第一晶体管和第二晶体管第二端之间,第一偏置电压不等于第二偏置电压。本发明与现有功率合成放大器相比具有更高线性度。

主权项

一种复合管射频功率放大器，其特征是，包括：第一、第二半导体功率晶体管(M1、M2)，第一、第二输入偏置电路(LC1、LC2)第一～第三电容(C1～C3)，第一电感(L1)，实现隔离直流及交流短路功能的隔直交短装置(D)，实现输入阻抗匹配及功率分配的输入网络(IN)，以及实现输出阻抗匹配及功率合成的输出网络(OUT)；第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第二端通过输入网络(IN)连接复合管射频功率放大器管的第一端(P1)；第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第三端相连通过输出网络(OUT)连接复合管射频功率放大器的第二端(P2)并通过第一电感(L1)接外部电源接入端(VDD)，外部电源接入端(VDD)通过第二电容(C2)接地；第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第一端分别接地；第一输入偏置电路(LC1)一端连接第一半导体功率晶体管(M1)第二端另一端接第一偏置电压(V1)并通过第一电容(C1)接地；第二输入偏置电路(LC2)一端连接第二半导体功率晶体管(M2)第二端另一端接第二偏置电压(V2)并通过第三电容(C3)接地；隔直交短装置(D)连接在第一半导体功率晶体管(M1)第二端和第二半导体功率晶体管(M2)第二端之间；其中，第一偏置电压(V1)不等于第二偏置电压(V2)。