| 发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构，包含有一半导体基底，以及至少一形成于该半导体基底上的鳍片结构。该半导体基底包含有一第一半导体材料。该鳍片结构包含有一第一外延层与一形成于该第一外延层与该半导体基底之间的第二外延层，而该第一外延层包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数不同于该第一半导体材料的一晶格常数。该第二外延层包含有该第一半导体材料与该第二半导体材料，且该第二外延层包含有导电掺杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN106611787A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201510700127.9 | 申请日期 | 2015.10.26 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄世贤;陈建宏;吴俊元;陈坤新;吴典逸;杨玉如;江怀慈 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包含有：半导体基底，包含有一第一半导体材料；以及至少一鳍片结构(fin)，形成于该半导体基底上，且该鳍片结构包含有：第一外延层，包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，该第二半导体材料的一晶格常数(lattice constant)不同于该第一半导体材料的一晶格常数；以及第二外延层，形成于该第一外延层与该半导体基底之间，该第二外延层包含有该第一半导体材料与该第二半导体材料，且该第二外延层包含有导电掺杂质(conductive dopant)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||