一种倒装结构发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种倒装结构发光二极管及其制作方法。所述发光二极管包括：衬底、缓冲层、n型接触层、活性发光层、电子阻挡层和p型接触层；其中，所述衬底与活性发光层之间具有多孔状或者柱状的纳米结构层。本发明中所述发光二极管用于倒装结构芯片制作，且在衬底和活性发光层之间制作有利于透光的纳米结构层。

主权项

一种倒装结构发光二极管，其包括：衬底、缓冲层、n型接触层、活性发光层、电子阻挡层和p型接触层；其中，所述衬底与活性发光层之间具有多孔状或者柱状的纳米结构层,所述纳米结构层呈三方、六方、立方排布或非对称排布，纳米结构的周期值为活性发光层发射光波长与活性发光材料折射率比值的整数倍，所述纳米孔或者纳米柱的刻蚀深度为纳米结构周期值的整数倍。