用于相变存储器的相变材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种用于相变存储器的相变材料及其制备方法，用于相变存储器的相变材料的化学通式为Sc_100-x-y-zGe_xSb_yTe_z，其中，0≤x≤60，0≤y≤90，0＜z≤65，0＜100-x-y-z＜100。本发明的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力；Sc_100-x-y-zGe_xSb_yTe_z具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻值态与低阻值态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求，是一种新型的存储材料；材料的热稳定性、相变速度以及疲劳循环特性得到了提高；可采用脉冲电压或脉冲激光驱动相变材料在不同的结构状态之间发生可逆转变，同时使相变材料的性能发生可逆变化，从而实现相变存储器的信息存储。

主权项

一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于，所述用于相变存储器的相变材料的化学通式为Sc_{100‑x‑y‑z}Ge_xSb_yTe_z，其中，0≤x≤60，0≤y≤90，0＜z≤65，0＜100‑x‑y‑z＜100。