发明名称 一种离子液体电沉积制备锗/铝纳米薄膜的方法
摘要 一种离子液体电沉积制备锗/铝纳米薄膜的方法,它涉及一种制备铝纳米薄膜的方法。本发明的目的是要解决现有锗负极材料在充放电过程中粉化,制备时需要较高的温度,能耗大,工艺复杂和不能一步法制备锗‑金属复合材料的问题。方法:一、配制离子液体电沉积液;二、恒电位沉积;三、清洗、干燥,得到锗/铝纳米薄膜。本发明可以直接将锗和铝同时沉积在基底上,而且沉积过程在室温条件下就可以进行,大大节省了试验的能耗问题;制备的锗/铝纳米薄膜的首次放电比容量和充电比容量分别分别可达到1736mAh/g和1290mAh/g。本发明可获得一种离子液体电沉积制备锗/铝纳米薄膜的方法。
申请公布号 CN104894618B 申请公布日期 2017.05.03
申请号 CN201510208525.9 申请日期 2015.04.28
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 赵九蓬;郝健;李垚
分类号 C25D3/56(2006.01)I;H01M4/36(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C25D3/56(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 牟永林
主权项 一种离子液体电沉积制备锗/铝纳米薄膜的方法,其特征在于一种离子液体电沉积制备锗/铝纳米薄膜的方法是按以下步骤完成的:一、配制离子液体电沉积液:将1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐在100℃下蒸馏24h~48h,得到蒸馏后的1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐;将GeCl<sub>4</sub>和AlCl<sub>3</sub>加入到蒸馏后的1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐中,再在温度为50℃~60℃和搅拌速度为1000r/min~1200r/min下搅拌48h~72h,得到离子液体电沉积液;步骤一中所述的离子液体电沉积液中GeCl<sub>4</sub>的浓度为0.05mol/L~0.15mol/L;步骤一中所述的离子液体电沉积液中AlCl<sub>3</sub>的浓度为1.5mol/L~3.0mol/L;二、恒电位沉积:将离子液体电沉积液加入到电解池中,以铂环作为对比电极,以银丝作为参比电极,以镍箔作为工作电极,将工作电极浸入到离子液体电沉积液中,采用恒电位沉积法沉积锗铝层;步骤二中所述的恒电位沉积法沉积锗铝层的电压为‑1.9V~‑2.3V,电流密度为0.003A/m<sup>2</sup>~0.009A/m<sup>2</sup>;沉积时间为60min~70min,电沉积的温度为室温;三、清洗、干燥:将带有电沉积层的工作电极从离子液体电沉积液中取出,使用无水异丙醇清洗带有电沉积层的工作电极3次~5次,再放入水套箱中晾干,即在工作电极表面得到锗/铝纳米薄膜;步骤三中所述的工作电极表面得到锗/铝纳米薄膜的厚度为1μm~3μm;步骤三中所述的锗/铝纳米薄膜首次放电比容量和充电比容量分别可达到1736mAh/g和1290mAh/g,在100次循环后其放电比容量仍可高达783mAh/g。
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