发明名称 |
一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法 |
摘要 |
一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法,包括以下步骤:在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底;在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层,使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上,去除原蓝宝石衬底;在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层,然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合,实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合;键合过程中临时转移衬底脱落,保留或者去除隔离保护层,从而得到相应的GaN基复合衬底。本发明通过设置隔离保护层,避免了工艺过程中GaN外延层的表面损伤,提高良品率和同质外延质量。 |
申请公布号 |
CN106611809A |
申请公布日期 |
2017.05.03 |
申请号 |
CN201710018987.3 |
申请日期 |
2017.01.11 |
申请人 |
东莞市中镓半导体科技有限公司 |
发明人 |
汪青;刘丹丹;张国义;梁文林 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
罗晓林;杨桂洋 |
主权项 |
一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法,包括以下步骤:S11,在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底;S12,在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层,使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上,去除原蓝宝石衬底;S13,在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层,然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合,实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合;S14,键合过程中临时转移衬底脱落,对所获得的复合衬底中的GaN外延层表面的隔离保护层,利用干法或湿法刻蚀工艺制备成图形化周期结构,得到具有隔离保护层的GaN基复合衬底。 |
地址 |
523000 广东省东莞市企石镇东平科技工业园 |