| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、本征非晶硅层、源极以及漏极。该栅极绝缘层设于该栅极与该本征非晶硅层之间使二者彼此绝缘。其中，该本征非晶硅层包括第一层及第二层，该第二层覆盖该第一层。该第二层包括非掺杂区域及位于该非掺杂区域两侧的掺杂区域。该源极与该漏极均与该掺杂区域接触，该非掺杂区域及至少部分该掺杂区域显露于该源极与该漏极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN106611794A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201510687157.0 | 申请日期 | 2015.10.22 |
| 申请人 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 安生健二 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人 | 汪飞亚 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、本征非晶硅层、源极以及漏极；该栅极绝缘层设于该栅极与该本征非晶硅层之间使二者彼此绝缘；其特征在于，该本征非晶硅层包括第一层及第二层，该第二层覆盖该第一层；该第二层包括非掺杂区域及位于该非掺杂区域两侧的掺杂区域；该源极与该漏极均与该掺杂区域接触，该非掺杂区域及至少部分该掺杂区域显露于该源极与该漏极之间。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 | ||