降低线条粗糙度的混合光刻方法

摘要

本发明公开一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明方法，采用材质不同多层硬掩模层并多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。

主权项

一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层,其中，第一硬掩模层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合；采用普通光学曝光技术执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层,第二硬掩模层为多晶硅、非晶硅、微晶硅、非晶碳、非晶锗、SiC、SiGe、类金刚石无定形碳或其组合；采用电子束曝光技术执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。