发明名称 |
层叠封装结构及其形成方法 |
摘要 |
一种半导体器件包括第一封装元件和第二封装元件。第一封装元件具有形成在第一衬底上的第一管芯。第二封装元件具有在形成第二衬底上的第二管芯。热隔离材料附接至第一管芯,其中,热隔离材料使第二管芯与第一管芯热绝缘,并且热隔离材料的热导率在约0.024W/mK至约0.2W/mK的范围内。第一组导电元件将第一封装元件耦合至第二封装元件。本发明还提出了叠封装件及其形成方法。 |
申请公布号 |
CN103811430B |
申请公布日期 |
2017.05.03 |
申请号 |
CN201310250366.X |
申请日期 |
2013.06.21 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈孟泽;黄贵伟;蔡再宗;洪艾蒂;郑明达;刘重希 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L21/54(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:第一封装元件,具有形成在第一衬底上的第一管芯;第二封装元件,具有形成在第二衬底上的第二管芯;第一组导电元件,将所述第一封装元件耦合至所述第二封装元件;以及热隔离材料,处于所述第一封装元件和所述第二封装元件之间,其中,所述热隔离材料是其中具有空气或真空的密封环。 |
地址 |
中国台湾新竹 |