发明名称 |
半导体元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体元件,包括基底、绝缘层、DRAM电容器与RRAM存储单元。基底包括DRAM晶胞区与RRAM晶胞区。绝缘层位于基底上,在DRAM晶胞区上具有第一开口,且在RRAM晶胞区上具有第二开口。DRAM电容器位于绝缘层的第一开口中。RRAM存储单元位于绝缘层的第二开口中。DRAM电容器的第一电极的尺寸大于RRAM存储单元的第二电极的尺寸。RRAM与DRAM可以制作在同一个芯片上,且在芯片上的高度大致相同,不需要通过后续的金属内连线工艺再额外形成RRAM。 |
申请公布号 |
CN104218036B |
申请公布日期 |
2017.05.03 |
申请号 |
CN201310218889.6 |
申请日期 |
2013.06.04 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
焦佑钧;张文岳 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张然;李昕巍 |
主权项 |
一种半导体元件,其特征在于包括:基底,所述基底包括DRAM晶胞区与RRAM晶胞区;绝缘层,位于所述基底上,在所述DRAM晶胞区上具有第一开口,且在所述RRAM晶胞区上具有第二开口;DRAM电容器,位于所述DRAM晶胞区上的所述绝缘层的所述第一开口中,且所述DRAM电容器包括第一电极,仅位于所述第一开口中;以及RRAM存储单元,位于所述RRAM晶胞区上的所述绝缘层的所述第二开口中,且所述DRAM电容器包括第二电极,仅位于所述第二开口中,其中所述DRAM电容器的所述第一电极的尺寸大于所述RRAM存储单元的所述第二电极的尺寸。 |
地址 |
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 |