静电放电鲁棒性半导体晶体管

摘要

本公开涉及静电放电鲁棒性半导体晶体管。要解决的一个技术问题是提供改进的静电放电鲁棒性半导体晶体管。静电放电鲁棒性半导体晶体管包括第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的衬底接触区，衬底接触区与半导体衬底耦接；第二导电类型的源极区；第二导电类型的沟道区；第一导电类型的栅极区；具有第一导电类型的第一漏极区和第二导电类型的第二漏极区的漏极区；以及电导体，电导体耦接在第二漏极区和第一漏极区的一部分上，其中第一漏极区的未被电导体覆盖的一部分形成电阻式电子镇流器区，电阻式电子镇流器区被配置成保护静电放电鲁棒性半导体晶体管免受静电放电(ESD)感应的电压脉冲。通过本实用新型，获得了改进的静电放电鲁棒性半导体晶体管。

主权项

一种静电放电鲁棒性半导体晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；与所述半导体衬底耦接的所述第一导电类型的衬底接触区；与所述半导体衬底耦接的第二导电类型的源极区；所述第二导电类型的沟道区；所述第一导电类型的栅极区；漏极区，所述漏极区包括所述第一导电类型的第一漏极区和所述第二导电类型的第二漏极区；以及耦接在所述第二漏极区和所述第一漏极区的一部分上的电导体；其中所述第一漏极区的一部分未被所述电导体覆盖并且变成电阻式电子镇流器区，所述电阻式电子镇流器区被配置成保护所述静电放电鲁棒性半导体晶体管免受静电放电ESD感应的电压脉冲，并且；其中所述静电放电鲁棒性半导体晶体管包括可控硅整流器结型场效应晶体管SCR JFET。