MOS晶体管封装级测试方法以及MOS晶体管制造方法

摘要

本发明提供了一种MOS晶体管封装级测试方法以及MOS晶体管制造方法。根据本发明的MOS晶体管封装级测试方法包括：首先将MOS晶体管插入封装测试插槽；此后输入测试样本信号；随后检验各引脚之间的寄生等效二极管，并判断MOS晶体管与所插入的封装测试插槽的引脚是否对应；以及在判断MOS晶体管与所插入的封装测试插槽的引脚不对应的情况下，直接结束流程。根据本发明，可以通过检验MOS晶体管器件的各引脚之间的寄生等效二极管，根据寄生等效二极管的检验值来判断正确的引脚定义，由此可以有效地避免由于连线激励的错误而使MOS晶体管器件被击穿损坏。

主权项

一种MOS晶体管封装级测试方法，其特征在于包括：首先将MOS晶体管插入封装测试插槽；此后输入测试样本信号；随后检验各引脚之间的寄生等效二极管，并判断MOS晶体管与所插入的封装测试插槽的引脚是否对应，在所述检验各引脚之间的寄生等效二极管的步骤中，在MOS晶体管的栅极和漏极之间加入栅漏测试电流，并且测量栅极和漏极之间的电压，以检验MOS晶体管器件的栅极和漏极之间的寄生等效二极管；在MOS晶体管的栅极和源极之间加入栅源测试电流，并且测量栅极和源极之间的电压，以检验MOS晶体管器件的栅极和源极之间的寄生等效二极管；在MOS晶体管的源极和漏极之间加入源漏测试电流，并且测量源极和漏极之间的电压，以检验MOS晶体管器件的源极和漏极之间的寄生等效二极管；以及在判断MOS晶体管与所插入的封装测试插槽的引脚不对应的情况下，直接结束流程。